MTE652T2

O SSD MTE652T2 M.2 da Transcend foi concebido com a interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 e é compatível com as especificações NVM Express (NVMe) 1.3, proporcionando velocidades de transferência inigualáveis. O MTE652T2 utiliza a mais recente tecnologia 3D NAND para uma maior eficiência de armazenamento, o PCB apresenta pinos de ligação em ouro de 30µ de espessura e tecnologia de ligação de canto para maior durabilidade, cache DRAM incorporada para acesso rápido, um intervalo de temperatura de funcionamento alargado de -20°C a 75°C, e uma classificação de durabilidade de 3K Program/Delete cycle para um funcionamento fiável.

Flash NAND 3D de 96 camadas

PCB tem pinos de ligação em ouro de 30µ de espessura

Ligação de canto

Temperatura Alargada

Ajuste Dinâmico do Limite de Velocidade

Alteração nos dados de leitura

Recolha de Lixo

Nivelamento de desgaste

TRIM

Gestão de Blocos Defeituosos

Escudo de energia

Mudança antecipada

Características do Firmware

  • Apoia os comandos NVM
  • Estrangulamento térmico dinâmico
  • Função LDPC ECC (Código de Correcção de Erros) Integrada
  • Nivelamento avançado de desgaste global e gestão de blocos defeituosos para fiabilidade
  • Recolha Avançada de Lixo
  • Criptografia de disco inteiro com Padrão Avançado de Criptografia (AES) (opcional)

Características de Hardware

  • Cumpre com as normas RoHS
  • Em conformidade com as especificações NVM Express 1.3
  • Em conformidade com as especificações da PCI Express 3.1
  • M.2 form factor (80mm) - ideal para dispositivos de computação móvel
  • Interface PCIe Gen 3 x 4
  • Módulo de cache DDR3 integrado
  • Resistência: 3K ciclos P/E (Programa/Delete) garantida
  • Os principais componentes são a fábrica reforçada com a tecnologia Corner Bond.
  • PCB tem pinos de ligação em ouro de 30µ de espessura
  • Protecção de energia (PS) para assegurar a integridade da transferência de dados e minimizar a corrupção dos dados na unidade durante uma falha de energia anormal
  • Fiabilidade operacional prometida numa vasta gama de temperaturas (-20°C a 75°C)

Especificações

Aparência

Dimensões 80 mm x 22 mm x 3,58 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.14″)
Peso 9 g (0.32 oz)
Fator Forma
  • M.2
Tipo M.2
  • 2280-D2-M (Dupla face)

Interface

Interface de autocarro
  • Gen3 x4 NVMe PCIe

Armazenamento

Tipo de flash
  • Flash 3D NAND
Capacidade
  • 64 GB/
  • 128 GB/
  • 256 GB/
  • 512 GB

Ambiente operacional

Tensão de funcionamento
  • 3.3V±5%
Temperatura de funcionamento
  • Extentida

    -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)

Temperatura de armazenamento -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
Humidade 5% ~ 95%
Carregue em
  • 1500 G, 0,5 ms, 3 eixos
Vibração (Não-Operante) 20 G (Pico a Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequência)

Alimentação

Consumo de energia (em funcionamento) 3,3 watt(s)
Consumo de energia (IDLE) 0,6 watt(s)

Desempenho

Leitura / Escrita Sequencial (CrystalDiskMark) Ler: Até 2,100 MB/s
Escrever: Até 1,250 MB/s
4K Random Read / Write (IOmeter) Leia: Até 190.000 IOPS
Escrever: Até 290,000 IOPS
Tempo médio entre falhas (MTBF) 3,000,000 hora(s)
Terabytes Escrito (TBW) Até 1.080 TBW
Número de discos escritos por dia (DWPD) 2 (3 anos)
Nota
  • A velocidade pode variar devido ao alojamento, hardware, software, utilização e capacidade de armazenamento.
  • A carga de trabalho utilizada para classificar o DWPD pode ser diferente da sua carga de trabalho real, devido à diferença no hardware, software, utilização e capacidade de armazenamento do anfitrião.
  • Terabytes Written (TBW) indica a resistência sob a maior capacidade.
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