MTE652T2

MTE652T2 M.2 SSD de Transcend diseñado con la interfaz PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 y es compatible con las especificaciones NVM Express (NVMe) 1.3, entregando velocidades de transferencia incomparables. El MTE652T2 utiliza la última tecnología 3D NAND para una mayor eficiencia de almacenamiento, el PCB cuenta con pines de conexión de oro con espesor de 30µ y tecnología de corner bond para mayor durabilidad, DRAM caché incorporada para un acceso rápido, un rango extendido de temperatura de funcionamiento de -20°C a 75°C, y una clasificación de resistencia de 3K ciclos de Programar/Eliminar para una operación confiable.

3D NAND Flash de 96 capas

PCB cuenta con pines de conexión de oro con espesor de 30µ

Corner Bond

Temperatura Ampliada

Ajuste Dinámico del Límite de Velocidad

Alteración en Lectura de Datos

Recolección de Basura

Nivelación del Desgaste

TRIM

Administración de Bloques Defectuosos

Power Shield

Early Move

Características de Firmware

  • Soporta comandos NVM
  • Dynamic thermal throttling
  • Función LDPC ECC (Error Correction Code) Integrado
  • Avanzado Nivelación de Desgaste Global y Administración de Bloques Defectuosos para fiabilidad
  • Recolección de Basura Avanzado
  • Cifrado de disco enterco con Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)

Características de Hardware

  • Cumple con los estándares RoHS
  • Cumple con las especificaciones NVM Express 1.3
  • Cumple con las especificaciones PCI Express 3.1
  • Factor de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móviles
  • Interfaz PCIe Gen 3 x 4
  • Módulo DDR3 caché integrado
  • Resistencia: 3K ciclos P/E (Programar/Eliminar) garantizados
  • Los componentes principales son reforzados de fábrica con la tecnología Corner Bond
  • PCB cuenta con pines de conexión de oro con espesor de 30µ
  • Power Shield (PS) to ensure data transfer integrity and minimize data corruption in the drive during an abnormal power outage
  • Fiabilidad operativa prometida en un rango de temperatura ampliado (de -20 ° C a 75 ° C)

Especificaciones

Apariencia

Dimensiones 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.14″)
Peso 9 g (0.32 oz)
Factor de Forma
  • M.2
Tipo M.2
  • 2280-D2-M (Doble cara)

Interfaz

Interfaz de Bus
  • NVMe PCIe de Gen3 x4

Almacenamiento

Tipo de Flash
  • Flash 3D NAND
Capacidad
  • 64 GB/
  • 128 GB/
  • 256 GB/
  • 512 GB

Ambiente de Operación

Voltaje de Operación
  • 3.3V±5%
Temperatura de Operación
  • Extentida

    -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)

Temperatura de Almacenamiento -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
Humedad 5% ~ 95%
Golpe
  • 1500 G, 0.5 ms, 3 ejes
Vibración (No-Operando) 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frecuencia)

Alimentación

Consumo de energía (Operando) 3.3 vatio(s)
Consumo de energía (IDLE) 0.6 vatio(s)

Rendimiento

Lectura / Escritura Secuencial (CrystalDiskMark) Lectura: Hasta 2,100 MB/s
Escritura: Hasta 1,250 MB/s
Lectura / Escritura Aleatoria 4K (IOmeter) Lectura: Hasta 190,000 IOPS
Escritura: Hasta 290,000 IOPS
Tiempo Medio entre Fallos (MTBF) 3,000,000 hora(s)
Terabytes Escrito (TBW) Hasta 1,080 TBW
Numero de Discos Escrito por Día (DWPD) 2 (3 años)
Nota
  • La velocidad puede variar debido al host, el hardware, el software, el uso y la capacidad de almacenamiento.
  • La carga de trabajo utilizada para calificar DWPD puede ser diferente comparando con su carga de trabajo real, debido a la diferencia de hardware, software, uso y capacidad de almacenamiento del host.
  • Terabytes Written (TBW) indica la resistencia bajo la capacidad más alta.
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