MTE710T
A SSD MTE710T M.2 da Transcend utiliza a interface PCI Express (PCIe) Gen 4 x4 e suporta especificações NVM Express (NVMe) 1.4, alcançando velocidades de transferência sem precedentes. O MTE710T apresenta a tecnologia 3D NAND de próxima geração, que permite o empilhamento vertical de 112 camadas de chips 3D NAND Flash. Em comparação com a tecnologia 3D NAND de 96 camadas, este avanço da densidade melhora muito a eficiência do armazenamento, e a sua cache DRAM integrada permite um acesso mais rápido. Equipado com tecnologia Corner Bond e conectores de 30 µ" PCB, o MTE710T foi submetido a testes internos extensivos para assegurar a fiabilidade em aplicações chave, e possui uma classificação de durabilidade de 3000 ciclos de escrita e apagamento, bem como uma temperatura de funcionamento alargada que varia de -20℃ a 75 ℃.
Características do Firmware
- Apoia os comandos NVM
- Tecnologia de cache SLC
- Estrangulamento térmico dinâmico
- Função LDPC ECC (Código de Correcção de Erros) Integrada
- Nivelamento avançado de desgaste global e gestão de blocos defeituosos para fiabilidade
- Recolha Avançada de Lixo
- Função S.M.A.R.T. melhorada para durabilidade
- Comando TRIM para um melhor desempenho
- Criptografia de disco inteiro com Padrão Avançado de Criptografia (AES) (opcional)
Características de Hardware
- Cumpre com as normas RoHS
- Em conformidade com as especificações da PCI Express 3.1
- Em conformidade com as especificações NVM Express 1.4
- M.2 form factor (80mm) - ideal para dispositivos de computação móvel
- Interface PCIe Gen 4 x 4
- Módulo de cache DDR4 integrado
- Resistência: 3K ciclos P/E (Programa/Delete) garantida
- Os principais componentes são a fábrica reforçada com a tecnologia Corner Bond.
- PCB tem pinos de ligação em ouro de 30µ de espessura
- Fiabilidade operacional prometida numa vasta gama de temperaturas (-20°C a 75°C)
- Suporta o software Scope Pro da Transcend
Especificações
Aparência |
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Dimensões | 80 mm x 22 mm x 3,58 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.14″) |
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Peso | 10 g (0.35 oz) |
Fator Forma | M.2 |
Tipo M.2 | 2280-D2-M (Dupla face) |
Interface |
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Interface de autocarro | NVMe PCIe Gen4 x4 |
Armazenamento |
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Tipo de flash | Flash 3D NAND |
Capacidade | 256 GB/
512 GB/ 1 TB/ 2 TB |
Ambiente operacional |
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Tensão de funcionamento | 3.3V±5% |
Temperatura de funcionamento |
Extentida
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) |
Temperatura de armazenamento | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
Humidade | 5% ~ 95% |
Carregue em | 1500 G, 0,5 ms, 3 eixos |
Vibração (Funcionamento) | 20 G (Pico a Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequência) |
Alimentação |
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Consumo de energia (em funcionamento) | 4,9 watt(s) |
Consumo de energia (IDLE) | 1,52 watt(s) |
Desempenho |
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Leitura / Escrita Sequencial (CrystalDiskMark) | Ler: Até 3,800 MB/s Escrever: Até 3,200 MB/s |
4K Random Read / Write (IOmeter) | Leia: Até 500.000 IOPS Escrever: Até 560,000 IOPS |
Tempo médio entre falhas (MTBF) | 5,500,000 hora(s) |
Terabytes Escrito (TBW) | Até 1.700 TBW |
Número de discos escritos por dia (DWPD) | 1,55 (3 anos) |
Nota | A velocidade pode variar devido ao alojamento, hardware, software, utilização e capacidade de armazenamento.
A carga de trabalho utilizada para classificar o DWPD pode ser diferente da sua carga de trabalho real, devido à diferença no hardware, software, utilização e capacidade de armazenamento do anfitrião. Terabytes Written (TBW) indica a resistência sob a maior capacidade. |