MTE670T

O SSD MTE670T M.2 da Transcend apresenta interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 e suporta especificações NVM Express (NVMe) 1.3 para velocidades de transferência nunca antes vistas. O MTE670T apresenta a tecnologia 3D NAND de próxima geração, que permite o empilhamento vertical de 112 camadas de chips flash 3D NAND. Em comparação com o NAND 3D de 96 camadas, este avanço da densidade melhora muito a eficiência de armazenamento. Aplicado com um PCB com pinos de ligação em ouro de 30µ" e tecnologia Corner Bond, o MTE670T é totalmente testado internamente para assegurar a fiabilidade em aplicações de missão crítica, com uma classificação de resistência P/E de 3K ciclos e uma gama alargada de temperaturas de funcionamento de -20℃ ~ 75℃.

112-layer 3D NAND Flash

PCB tem pinos de ligação em ouro de 30µ de espessura

Ligação de canto

Temperatura Alargada

Ajuste Dinâmico do Limite de Velocidade

Alteração nos dados de leitura

Recolha de Lixo

Nivelamento de desgaste

TRIM

Gestão de Blocos Defeituosos

Alteração nos dados de leitura

Escudo de energia (PS)

Características do Firmware

  • Apoia os comandos NVM
  • Tecnologia de cache SLC
  • Estrangulamento térmico dinâmico
  • Função LDPC ECC (Código de Correcção de Erros) Integrada
  • Nivelamento avançado de desgaste global e gestão de blocos defeituosos para fiabilidade
  • Recolha Avançada de Lixo
  • Função S.M.A.R.T. melhorada para durabilidade
  • Comando TRIM para um melhor desempenho

Características de Hardware

  • Cumpre com as normas RoHS
  • Em conformidade com as especificações NVM Express 1.3
  • Em conformidade com as especificações da PCI Express 3.1
  • M.2 form factor (80mm) - ideal para dispositivos de computação móvel
  • Interface PCIe Gen 3 x 4
  • Resistência: 3K ciclos P/E (Programa/Delete) garantida
  • Os principais componentes são a fábrica reforçada com a tecnologia Corner Bond.
  • PCB tem pinos de ligação em ouro de 30µ de espessura
  • Protecção de energia (PS) para assegurar a integridade da transferência de dados e minimizar a corrupção dos dados na unidade durante uma falha de energia anormal
  • Opções disponíveis de temperatura alargada (-20°C ~ 75°C) e temperatura alargada (-40°C ~ 85°C)
  • Suporta o software Scope Pro da Transcend

Especificações

Aparência

Dimensões 80 mm x 22 mm x 2,23 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.08″)
Peso 9 g (0.32 oz)
Fator Forma
  • M.2
Tipo M.2
  • 2280-S2-M (Face única)

Interface

Interface de autocarro
  • Gen3 x4 NVMe PCIe

Armazenamento

Tipo de flash
  • 112-layer 3D NAND flash
Capacidade
  • 128 GB/
  • 256 GB/
  • 512 GB/
  • 1 TB

Ambiente operacional

Tensão de funcionamento
  • 3.3V±5%
Temperatura de funcionamento
  • Extentida

    -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)

  • Grande temperatura

    -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)

Temperatura de armazenamento -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
Humidade 5% ~ 95%
Carregue em
  • 1500 G, 0,5 ms, 3 eixos
Vibração (Funcionamento) 20 G (Pico a Pico), 7 Hz ~ 2.000 Hz (frequência)

Alimentação

Consumo de energia (em funcionamento) 3,1 watt(s)
Consumo de energia (IDLE) 0,4 watt(s)

Desempenho

Leitura / Escrita Sequencial (CrystalDiskMark) Ler: Até 2,100 MB/s
Escrever: Até 1,600 MB/s
4K Random Read / Write (IOmeter) Leia: Até 150.000 IOPS
Escrever: Até 280,000 IOPS
Tempo médio entre falhas (MTBF) 3,000,000 hora(s)
Terabytes Escrito (TBW) Até 960 TBW
Número de discos escritos por dia (DWPD) 0,88 (3 anos)
Nota
  • A velocidade pode variar devido ao alojamento, hardware, software, utilização e capacidade de armazenamento.
  • A carga de trabalho utilizada para classificar o DWPD pode ser diferente da sua carga de trabalho real, devido à diferença no hardware, software, utilização e capacidade de armazenamento do anfitrião.
  • Terabytes Written (TBW) indica a resistência sob a maior capacidade.
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